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快速退火爐RTP-300RL

快速退火爐RTP-300RL產品介紹一╃₪•、簡介1.1 概要RTP-300RL是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統│☁▩▩,以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品│☁▩▩,工藝時間短│☁▩▩,控溫精度高│☁▩▩,適用4-12英寸晶片│╃◕•·。相對於傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統│☁▩▩,其獨特的腔體設計╃₪•、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟體控制系統│☁▩▩,確保了極好的熱均勻性│╃◕•·。&n

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快速退火爐RTP-300RL產品介紹

一╃₪•、簡介
1.1 概要
RTP-300RL是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統│☁▩▩,以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品│☁▩▩,工藝時間短│☁▩▩,控溫精度高│☁▩▩,適用4-12英寸晶片│╃◕•·。相對於傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統│☁▩▩,其獨特的腔體設計╃₪•、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟體控制系統│☁▩▩,確保了極好的熱均勻性│╃◕•·。
 
 
1.2 產品特點

  •  紅外鹵素燈管加熱│☁▩▩,冷卻採用風冷

  •  燈管功率PID控溫│☁▩▩,可精準控制溫度升溫│☁▩▩,保證良好的重現性與溫度均勻性

  •  採用平行氣路進氣方式│☁▩▩,氣體的進入口設定在Wafer表面│☁▩▩,避免退火過程中冷點產生│☁▩▩,保證產品良好的溫度均勻性

  •  大氣與真空處理方式均可選擇│☁▩▩,進氣前氣體淨化處理

  •  標配兩組工藝氣體│☁▩▩,最多可擴充套件至6組工藝氣體

  •  可測單晶片樣品的最大尺寸為12英寸(300×300mm)

  •  採用爐門安全溫度開啟保護╃₪•、溫控器開啟許可權保護以及裝置急停安全保護三重安全措施│☁▩▩,全方位保障儀器使用安全

 
1.3 RTP行業應用

  •  氧化物╃₪•、氮化物生長

  •  矽化物合金退火

  •  砷化鎵工藝

  •  歐姆接觸快速合金

  •  氧化迴流

  •  其他快速熱處理工藝

  •   離子注入啟用

行業領域▩₪▩:

  •   晶片製造 生物醫學 奈米技術

  •   MEMS LEDs 太陽能電池

  •   化合物產業 ▩₪▩:GaAs│☁▩▩,GaN│☁▩▩,GaP│☁▩▩,

  •   GaInP│☁▩▩,InP│☁▩▩,SiC

  •   光電產業▩₪▩:平面光波導│☁▩▩,鐳射│☁▩▩,VCSELs

 
 
 
二╃₪•、技術規格
2.1引數

RTP-RL300
最大產品尺寸4-12英寸晶圓或者最大支援300×300mm產品
溫度範圍室溫~1250℃
最高升溫速度150℃/s
溫度均勻度±1%
溫控方式快速PID溫控
降溫速度200℃/min(1000~400℃)
腔體設計可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式水冷腔體│☁▩▩,獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式氮氣吹掃
工藝氣體MFC控制│☁▩▩,常規兩路氣體│☁▩▩,最大可擴充至6路氣體

 
 
 
 快速退火爐RTP-300RL可製作的產品
 

 
 
 
 
 
  快速退火爐RTP-300RL生產線一覽
 



技術規格
2.1引數

RTP-RL300
最大產品尺寸4-12英寸晶圓或者最大支援300×300mm產品
溫度範圍室溫~1250℃
最高升溫速度150℃/s
溫度均勻度±1%
溫控方式快速PID溫控
降溫速度200℃/min(1000~400℃)
腔體設計可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式水冷腔體│☁▩▩,獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式氮氣吹掃
工藝氣體MFC控制│☁▩▩,常規兩路氣體│☁▩▩,最大可擴充至6路氣體


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